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    工艺技术

功率器件

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  • IGBT

  • MOSFET

  • TVS

  • FRD

  • SIC

  • MEMS

  • 积塔长期专注于功率IGBT工艺技术的开发,积累了丰富的开发经验和量产经验。现已成功开发了1200V~6500V平面非穿通型IGBT和平面场终止型IGBT、以及600V~1700V沟槽高能场终止型IGBT,该技术的产品广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、变频器、焊机、智能电网、机车拖动等方面。


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  • 积塔长期专注于功率MOSFET工艺技术平台开发,拥有丰富的MOSFET生产制造经验。现已形成包括平面VDMOS,Trench MOS,SGT和Super-Junction MOSFET等在内的多种类MOSFET功率器件工艺技术平台。


    SGT(Split-gate Trench)是在Trench MOS基础上发展起来的一种新的沟槽MOSFET, SGT采用电荷平衡技术,可以明显减小器件的导通电阻Rds(on)和米勒电容,实现更优的品质因数(FOM),从而有效降低导通损耗,提高开关性能和工作效率,在不间断电源、电池管理系统、电机驱动、服务器等领域有广泛的应用。


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  • 积塔6吋/8吋线拥有丰富的TVS(瞬态电压抑制器)工艺研发和生产经验;拥有特色的外延工艺和基于现有CMOS后段产线升级的工艺,能制造出超低电容和超低回折电压的高端产品,客户产品已经打入国际一流3C产品供应链,拥有能为国内外客户定制化平面型和沟槽型产品的工艺方案。


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  • 积塔拥有以EPI片和扩散片为基础的FRD制程,支持电子辐照技术进行少子寿命控制。已量产包括650V/750V/1200V的技术平台工艺。

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  • 碳化硅器件(Silicon Carbide)

    碳化硅材料具有高导热的材料特性,可在高温环境下正常运作。碳化硅功率器件具有耐高压、高频操作的优势。碳化硅器件可改善系统效率、可靠性,提升系统功率密度,小型化电力电子系统。在高可靠性要求的工业应用、高效电力系统、伺服电源及电力汽车等领域,碳化硅材料比其他新兴材料更具明显优势并被广泛应用。


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    PE
    Inverter

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    Motor
    Control

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    Smart
    Power Grid

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    Ship&
    Vessels

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    Windmills

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    UPS

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    xEV

    碳化硅器件特点
    • 碳化硅肖特基二极管具有高耐压、高导热材料特性,具有优异的反向恢复能力,可改善功率损失,提升系统的效率。

    • 碳化硅MOSFET具有高速开关、低导通电阻等特性,在电力电子高频应用中,可以减少导通切换的功率损失,提升整体系统效率


    SiC 平台工艺能力

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      高温离子注入

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      金属沉积

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      高温退火

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      激光退火

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      深沟槽SiC刻蚀

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      SiC栅氧

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      SiC晶圆减薄

    Roadmap

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  • 积塔拥有超过10年的MEMS加工经验,具有厚外延、深槽刻蚀、双面光刻等成熟工艺,具备光学MEMS、流量传感器、压力传感器等产品研发及规模量产能力。

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