积塔半导体率先推出110nm新型铁电存储器工艺技术
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2024-01-30
积塔半导体联合国内领先的新型铁电存储器供应商无锡舜铭存储科技有限公司合作开发，于2023年12月成功推出国内首款110纳米技术的新型铁电存储器产品。与现有技术相比，新产品面积缩小约40%~60%，性能大幅度提升，将于2024年一季度正式量产。
该项技术由积塔半导体模拟与数模混合研发处（TD2）MCU研发团队，历经一年研发成功，完成了新型铁电技术的三项重大突破，第一，新型铁电技术首次在110nm技术节点实现量产；第二，新型铁电存储器的可靠性比现有技术提升了10倍；第三，实现了新型铁电存储技术从平面结构存储单元到3D结构存储单元的跨越。
FeRAM（铁电随机存取存储器Ferroelectric RAM），采用铁电质膜用作电容器来存储数据，同时具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势，被认为是未来存储器发展方向之一。
此次推出的铁电存储器技术是基于铪基氧化物的新型铁电存储技术。相比于传统的存储器技术，该技术拥有高速读写，高耐久性，低功耗，抗电磁干扰和抗辐照等特点，性能优越，可靠性高，非常适用于车载，电力，工控，和可穿戴等场景，并且在人工智能领域也有广泛的应用前景。
积塔半导体将继续发力，在3D架构和更先进工艺节点开发新型存储器技术，进一步降低成本和提升产品性能，为实现新型存储器多元化，产业链自主创新而努力奋斗
